Mémoires pour l'internet des objets

Au travers de cette AF les élèves-ingénieurs seront amenés à comprendre le fonctionnement de ces différentes propriétés physiques d’un même matériau ferroélectrique présentant un grand potentiel pour des applications innovantes et de fabriquer, caractériser et utiliser des mémoires numériques encore plus petites et rapides utiles pour l’internet des objets. La plus grande mobilité électronique sera un des grands enjeux de demain, au même titre que l’Internet des objets (Internet of things). À l’avenir, l’interaction avec des objets ne se fera plus seulement au moyen de puces électroniques ou d’ordres spécifiques transmis par un écran tactile, mais aussi entre les objets eux-mêmes.

BE1 (2h) : technologies de la salle blanche, diffraction des rayons X TP1 (4h) : dépôt de nanomatériaux en salle blanche et fabrication de cellules mémoires intégrées TP2 (2h) : caractérisations structurales de cellules mémoires ferroélectriques TP3 (2h) : caractérisations électriques de cellules mémoires ferroélectriques TP4 (8h) : conception de circuits à base de cellules mémoires BE2 (2h) : Présentation des résultats et discussions scientifiques